| 摘要 |
本发明提供一种可提高资料保持特性之非挥发性半导体记忆装置及其制造方法。本发明于记忆元件之上层具备包含以下组成群中至少1个以上之层（如二氧化二铝膜10），该组成群包含：添加有氮之矽氧化膜；添加有铝之矽氧化膜；铝氧化物；添加有钛之矽氧化膜；添加有氮、铝及钛等三种中之两种之矽氧化膜、添加有氮、铝及钛等三种之矽氧化膜；钛氧化物；钛与铝之氧化物；包含钛、镍、钴、锆、铜、铂、钒、镁、铀、钕、镧、钪之金属群中任何一个之单体金属层；包含此等金属群中两个以上金属占整体至少50％以上之二元系以上合金之层；包含该合金之氮化物之层；或包含该合金之氢化物之层。 |
