| 摘要 |
本发明系揭示一种半导体装置，包括：一基板；于基板上之一n型半导体层，该n型半导体层具有一平坦的顶表面；一p型半导体层，延伸于n型半导体层之一主要部分而未延伸于n型半导体层之一暴露区域，其位在邻近于n型半导体层之平坦的顶表面之至少一个边缘；一第一焊接垫，设于n型半导体层之暴露区域；一电极层，延伸于p型半导体层上；及，于电极层上之一第二焊接垫，该焊接垫包括用于固定一电气互连件之一区域、及其突出自该区域之至少一个指状区域，该指状区域具有其延伸为远离该区域之一长度、与实质为小于该长度之一宽度。本发明亦揭示一种制造半导体装置之方法。 |
