发明名称 用于以雷射光束使半导体结晶化之方法及装置
摘要 复数个雷射源发射之雷射光束被划分为复数个子光束,子光束照射于基材上之非晶形半导体之选定部分,而结晶化非晶形半导体。雷射光束间之发散角度差异藉光束扩幅器修正。该装置包括一子光束选择照射系统,包括一子光束划分总成以及一子光束聚焦总成。此外该装置包括雷射源、聚焦光学系统及组合光学系统。支承基材之平台包括复数个第一平台元件,一第二平台元件设置于第一平台元件上方,以及一第三平台元件38C以旋转式设置于第二平台上方,俾支承非晶形半导体。
申请公布号 TW200401346 申请公布日期 2004.01.16
申请号 TW092113102 申请日期 2003.05.14
申请人 富士通股份有限公司;雷射股份有限公司 发明人 佐佐木伸夫;宇塚达也;大木孝一
分类号 H01L21/263 主分类号 H01L21/263
代理机构 代理人 恽轶群;陈文郎
主权项
地址 日本