| 主权项 |
1.一种追踪取样信号之电准位之方法,包括下列步骤:提供一参考准位以及一取样信号;以及根据该取样信号电准位,以对该参考准位进行电准位调整。2.如申请专利范围第1项所述之追踪取样信号之电准位之方法,其中该取样信号系经一同步取样程序而得。3.如申请专利范围第1项所述之追踪取样信号之电准位之方法,更包括:提供n个取样信号与m个参考准位;以及依序根据该n个取样信号之电准位,而对最接近该取样信号之电准位之一相关参考准位进行电准位调整。4.如申请专利范围第1项所述之追踪取样信号之电准位之方法,其中该电准位调整步骤系利用一最小均方(least means square,LMS)法为之,其系可包括下列运算方程式:(z-1x)^2/ 1x=-2(z-1x) …………(1)1x'=1x+(z-1x) …………(2)其中,z为该取样信号之电准位;为运算因子;1x为该参考准位;1x'为经调整后之该参考准位。5.一种追踪取样信号之电准位之方法,系应用于一光学储存系统中,包括下列步骤:输入m个参考准位以及n个取样信号;以及因应该n个取样信号之第一个取样信号之电准位,以对该m个参考准位中之一相关参考准位进行电准位调整。6.如申请专利范围第5项所述之追踪取样信号之电准位之方法,其中该n个取样信号系对一储存媒介上之资料经由一同步信号取样程序而得。7.如申请专利范围第5项所述之追踪取样信号之电准位之方法,其中该n个取样信号之电准位系可形成4或5组电准位分布区,且该m个参考准位系可包括4或5组参考准位。8.如申请专利范围第5项所述之追踪取样信号之电准位之方法,其中该电准位调整步骤系包括下列步骤:判断该m组参考准位中与该取样信号之电准位最为接近者;以及遂行一运算程序,以调整最接近该取样信号之电准位之参考准位。9.如申请专利范围第8项所述之追踪取样信号之电准位之方法,其中该运算程序系指以一最小均方(least means square,LMS)法为之,其系可包括下列运算方程式:(z-1x)^2/ 1x=-2(z-1x) ……(1)1x'=1x+(z-1x) ……(2)其中,z为该取样信号之电准位;为运算因子;1x为该m组参考准位中最接近该取样信号之电准位z之参考准位;1x'为经调整后之参考准位。10.一种控制晶片,系应用于一光学储存系统中,包括:一信号取样装置,根据一光学储存媒介上之资料而输出一取样信号;以及一追踪取样信号之电准位之装置,接收该取样信号与一参考准位,系根据该取样信号,以对该参考准位进行电准位调整,且输出该取样信号以及经调整后之参考准位。11.如申请专利范围第10项所述之控制晶片,其中该光学储存媒介系为一光碟片。12.如申请专利范围第11项所述之控制晶片,其中该信号取样装置系利用同步信号取样程序来进行取样。13.如申请专利范围第10项所述之控制晶片,更包括一信号解码装置,其根据该经调整后之参考准位而对该取样信号进行解码。14.如申请专利范围第10项所述之控制晶片,其中该追踪取样信号之电准位之装置系可接收n个取样信号与m个参考准位,且可分别因应该n个取样信号之电准位,以对该该m个参考准位进行电准位调整。15.如申请专利范围第14项所述之控制晶片,其中该追踪取样信号之电准位之装置系判断该m个参考准位中与该取样信号之电准位最为接近者,且遂行一运算程序,以调整与该取样信号之电准位最为接近之参考准位。16.如申请专利范围第15项所述之控制晶片,其中该运算程序系指以一最小均方(least means square,LMS)法为之,其系可包括下列运算方程式:(z-1x)^2/ 1x=-2(z-1x) ………(1)1x'=1x+(z-1x) ………(2)其中,z为该取样信号之电准位;为运算因子;1x为该m组参考准位中与该取样信号之电准z最为接近之参考准位;1x'为经调整后之参考准位。图式简单说明:第一图:其系为习知光学储存媒介输入系统之结构示例图;第二图:其系为本案追踪取样信号之电准位之一第一较佳实施方法示例图;第三图:其系为本案追踪取样信号之电准位之一第二较佳实施方法示例图;第四图(a)~(d):其系为本案该第一与第二较佳实施方法中因应取样信号以对参考准位进行电准位调整程序之概念说明示意图;第五图:其系为本案该第一与第二较佳实施方法中因应取样信号以对参考准位进行电准位调整程序之实际结果示例图;以及第六图:其系为本案追踪取样信号之电准位之较佳实施装置示例图。 |
