发明名称 杂讯抑制之介电结构及其制造方法
摘要 一种杂讯抑制之介电结构,适用于一印刷电路板。此杂讯抑制之介电结构乃利用溅击金属板表面所产生之金属粒子掺杂于介电材料之中,而金属粒子可以提高介电材料之介电常数。因此,印刷电路板之电源层以及接地层之间介电层所形成之去耦合电容值可相对增加,而讯号层之元件所产生之高频杂讯,可藉由较高之去耦合电容,来达到过滤杂讯的效果。伍、(一)、本案代表图为:第2图(二)、本案代表图之元件代表符号简单说明:10:主动元件20:被动元件200:印刷电路板202:导电孔204:镀通孔210:内连线层212:讯号层214:电源层216:接地层218:介电层220:金属粒子
申请公布号 TW573443 申请公布日期 2004.01.21
申请号 TW092117786 申请日期 2003.06.30
申请人 神基科技股份有限公司 发明人 李秉峰;郑裕强
分类号 H05K1/02 主分类号 H05K1/02
代理机构 代理人 詹铭文 台北市中正区罗斯福路二段一○○号七楼之一;萧锡清 台北市中正区罗斯福路二段一○○号七楼之一
主权项 1.一种杂讯抑制之介电结构,适用于一印刷电路板,该印刷电路板具有至少一图案化线路层,且该图案化线路层具有至少一电源层、至少一接电层以及至少一讯号层,该杂讯抑制之介电结构至少包括:一介电层,配置于任二相邻之该图案化线路层之间,且该介电层具有至少一金属粒子,掺杂于该介电层之中。2.如申请专利范围第1项所述之杂讯抑制之介电结构,其中该介电层之材质系为玻璃环氧基树脂。3.如申请专利范围第1项所述之杂讯抑制之介电结构,其中该介电层之材质系为双顺丁烯二酸醯亚胺。4.如申请专利范围第1项所述之杂讯抑制之介电结构,其中该介电层之材质系为环氧树脂。5.如申请专利范围第1项所述之杂讯抑制之介电结构,其中该金属粒子之材质包括铝以及钛其中之一。6.一种介电结构,至少包括:一介电材料,其材质系选自于由玻璃环氧基树脂,双顺丁烯二酸醯亚胺及环氧树脂所组成之族群;以及一金属粒子,其系选自于由铝及钛所组成之族群,掺杂于该介电材料中。7.一种提高介电材料之介电常数的方法,包括:提供一介电材料,其材质系选自于由玻璃环氧基树脂,双顺丁烯二酸醯亚胺及环氧树脂所组成之族群;以及以一高速带电粒子轰击一金属板之表面,用以击出至少一金属粒子,且使得该金属粒子掺杂于该介电材料中。8.如申请专利范围第7项所述之提高介电材料之介电常数的方法,其中该高速带电粒子系以直流电浆产生器所形成。9.如申请专利范围第7项所述之提高介电材料之介电常数的方法,其中该高速带电粒子系以磁控直流电浆产生器所形成。10.如申请专利范围第7项所述之提高介电材料之介电常数的方法,其中该高速带电粒子系以射频电浆产生器所形成。11.如申请专利范围第7项所述之提高介电材料之介电常数的方法,其中该金属板之材质包括铝以及钛其中之一。图式简单说明:第1图绘示习知一种印刷电路板之剖面示意图。第2图绘示本发明一较佳实施例之一种杂讯抑制之介电结构的示意图。第3图绘示利用溅击的方式掺杂粒子于介电材料之间的示意图。
地址 新竹市新竹科学工业园区研发二路一号四楼