于含矽介电材料中蚀刻一沟渠之方法

摘要

于此揭示一于含矽介电材料蚀刻一沟渠之方法，其不需使用沟渠蚀刻终止层，其中含矽介电材料之介电常数约为4或更低。该方法至少包含将介电材料暴露于由至少包含含氟之蚀刻剂气体与由含有一氧化碳、氩与该气体组合构成之群组中选取之添加气体之电浆源气体所产生之电浆下。添加气体相对于含氟之蚀刻剂气体的体积流率范围为约1.25：1至20：1（更典型值为2.5：1至20：1)，该范围取决于所使用之特定含氟之蚀刻剂气体。该方法提供蚀刻沟渠时对于关键尺寸与蚀刻范型的良好控制。于此尚揭示形成双镶嵌结构之方法，其同样不需使用中间蚀刻终止层。