避免多晶矽层过蚀刻异常之方法

摘要

本发明提供一种避免多晶矽层过蚀刻异常之方法，上述方法包括：清洗一半导体底材。接着，形成一介电层于该半导体底材之上。然后，利用一第一流量速率将一第一矽来源气体注入一反应室中，以形成一第一多晶矽层于介电层之上。之后，利用一第二流量速率将一第二矽来源气体注入一反应室中，以形成一第二多晶矽层于第一多晶矽层之上，其中第二矽来源气体与第一矽来源气体具有不同之成长速率。接着，形成一光阻图案于第二多晶矽层之上，再利用光阻图案作为一蚀刻罩幕而执行一蚀刻程序，以依序蚀刻第二多晶矽层与第一多晶矽层，直到暴露出介电层为止。最后，去除光阻图案。