发明名称 五氟化乙烷之精制方法及制造方法、以及其用途
摘要 本发明之目的在提供,可用作低温冷媒、蚀刻气体的高纯度五氟化乙烷之工业上有利的精制方法。该方法系使含至少一种选自含一碳原子之氢氟碳类、含一碳原子之氢氯氟碳类及含一碳原子之氢氯碳类所成群之化合物的粗五氟化乙烷,与平均孔径3埃至6埃,并且矽/铝比在2.0以下之沸石及/或平均孔径3.5埃至6埃之碳吸附剂所成之吸附剂接触,降低上述化合物之含量。
申请公布号 TW200401760 申请公布日期 2004.02.01
申请号 TW092117959 申请日期 2003.07.01
申请人 昭和电工股份有限公司 发明人 大野博基;大井敏夫
分类号 C07C19/08 主分类号 C07C19/08
代理机构 代理人 林志刚
主权项
地址 日本