利用矽-锗和矽-碳合金之异质接面场效电晶体

摘要

半导体元件，例如异质接面场效电晶体，制造有矽－锗缓冲层与矽－碳通道层结构。本发明提供一种藉由减少一SiGe无应力缓冲层中的锗含量而降低穿透缺陷密度之方法，无应力缓冲层上方形成有一应变矽通道层，以一矽－碳合金形成该应变矽通道层，矽－碳合金系包含例如少于约1.5原子％C替代性地结合于合金之Si晶格中。