发明名称 用于移除光阻及/或电浆蚀刻残余物之非腐蚀性清洁组成物与方法
摘要 有效移除基材的光阻及电浆蚀刻残余物之非腐蚀性清洁组成物。该清洁组成物包含(i)羟基-(低烷基)-联胺,(ii)水,以及(iii)至少一化合物,其系选自于下述物质组成之组群:羧酸、可与水混溶之有机溶剂及其混合物。
申请公布号 TW580516 申请公布日期 2004.03.21
申请号 TW088121902 申请日期 1999.12.14
申请人 亚契专业化学公司 发明人 本田宪治;忧吉尼F 罗斯杰瑞
分类号 C11D3/30 主分类号 C11D3/30
代理机构 代理人 恽轶群 台北市松山区南京东路三段二四八号七楼;陈文郎 台北市松山区南京东路三段二四八号七楼
主权项 1.一种非腐蚀性清洁组成物,其包含:(i)羟基-(低烷基)-联胺(ii)水,以及(iii)至少一羧酸,其系选自于下述物质组成之组群:柠檬酸、乳酸、琥珀酸、酒石酸、伸乙二胺四乙酸、氮基三乙酸,及其混合物。2.如申请专利范围第1项之组成物,其中该羟基-(低烷基)-联胺是选自由羟乙基联胺、羟丙基联胺、羟丁基联胺、二羟乙基联胺、二羟丙基联胺以及二羟丁基联胺所组成的组群。3.如申请专利范围第2项之组成物,其中以该清洁组成物之总重为基准,该羟基-(低烷基)-联胺之含量系介于5至50重量%,水之含量系介于30至90重量%,以及该羧酸之含量系介于1至40重量%。4.如申请专利范围第1项之组成物,其中该羟基-(低烷基)-联胺是羟乙基联胺及该羧酸为伸乙二胺四乙酸。5.如申请专利范围第1项之组成物,其进一步包含可与水混溶之溶剂,该溶剂系选自于下述物质组成之组群:N-甲基-2-咯烷酮(NMP)、N-羟乙基-2-咯烷酮、1,3-二甲基-2-咪唑酮、二甲亚(DMSO)、N,N-二甲基乙醯胺、二丙酮醇、乙二醇、丙二醇,及其组合物。6.如申请专利范围第5项之组成物,其中以该清洁组成物之总重为基准,该羟基-(低烷基)-联胺之含量系介于30至70重量%,水之含量系介于1至30重量%,以及该可与水混溶之溶剂的含量系介于30至70重量%。7.如申请专利范围第6项之组成物,其中该羟基-(低烷基)-联胺为羟乙基联胺及该可与水混溶之溶剂为N-甲基-2-咯烷酮(NMP)或二甲亚(DMSO)。8.如申请专利范围第1项之组成物,其进一步包含界面活性剂、抗腐蚀剂或其组合。9.一种移除基材之残余物的方法,其包括下述步骤:使含有该残余物之基材与一非腐蚀性清洁组成物接触,该组成物包含:(i)羟基-(低烷基)-联胺,(ii)水,以及(iii)至少一羧酸,其系选自于下述物质组成之组群:柠檬酸、乳酸、琥珀酸、酒石酸、伸乙二胺四乙酸、氮基三乙酸,及其混合物。10.如申请专利范围第9项的方法,其中该羟基-(低烷基)-联胺是选自由羟乙基联胺、羟丙基联胺、羟丁基联胺、二羟乙基联胺、二羟丙基联胺以及二羟丁基联胺所组成的组群。11.如申请专利范围第10项的方法,其中以该清洁组成物之总重为基准,该羟基-(低烷基)-联胺之含量系介于5至50重量%,水之含量系介于30至90重量%,以及该羧酸之含量系介于1至40重量%。12.如申请专利范围第9项的方法,其中该羟基-(低烷基)-联胺是羟乙基联胺及该羧酸为伸乙二胺四乙酸。13.如申请专利范围第9项的方法,其中进一步包含可与水混溶的溶剂,该溶剂系选自于下述物质组成之组群:N-甲基-2-咯烷酮(NMP)、N-羟乙基-2-咯烷酮、1,3-二甲基-2-咪唑酮、二甲亚(DMSO)、N,N-二甲基乙醯胺、二丙酮醇、乙二醇、丙二醇,及其混合物。14.如申请专利范围第13项的方法,其中以该清洁组成物之总重为基准,该羟基-(低烷基)-联胺之含量系介于30至70重量%,水之含量系介于1至30重量%,以及该可与水混溶之溶剂的含量系介于30至70重量%。15.如申请专利范围第14项的方法,其中该羟基-(低烷基)-联胺为羟乙基联胺及该可与水混溶之溶剂为N-甲基-2-咯烷酮(NMP)或二甲亚(DMSO)。16.如申请专利范围第9项的方法,其进一步包含界面活性剂、抗腐蚀剂或其组合。17.如申请专利范围第9项的方法,其进一步包含使该基材与臭氧化水接触。
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