| 主权项 |
1.一种双重金属镶嵌(Dual Damascene)制程,至少包括:提供一基材,其中该基材上至少包括一介电层;形成一孤立介层窗(Isolated Via)以及复数个密集介层窗(Dense Vias)位于部分之该介电层中;进行一第一涂布(Coating)步骤,藉以形成一第一牺牲层(First Sacrificial Layer)覆盖在该孤立介层窗、该些密集介层窗、以及该介电层上,并填满该孤立介层窗以及该些密集介层窗;进行一第一蚀刻步骤,藉以去除部分之该第一牺牲层,并暴露出该介电层、部分之该孤立介层窗、以及该些密集介层窗之一部分;进行一第二涂布步骤,藉以形成一第二牺牲层覆盖在该介电层、该孤立介层窗之该部分、以及该些密集介层窗之该部分,并填满该孤立介层窗以及该些密集介层窗;进行一第二蚀刻步骤,藉以分别在该孤立介层窗与每一该些密集介层窗中形成一牺牲插塞(Plug);以及形成复数个沟渠分别位于该孤立介层窗以及该些密集介层窗上之该介电层中。2.如申请专利范围第1项所述之双重金属镶嵌制程,其中该基材与该介电层之间更至少包括一蚀刻终止层(Etching StopLayer)。3.如申请专利范围第2项所述之双重金属镶嵌制程,其中形成该孤立介层窗以及该些密集介层窗之步骤更至少包括去除部分之该介电层直至约暴露出部分之该蚀刻终止层。4.如申请专利范围第1项所述之双重金属镶嵌制程,其中该第一蚀刻步骤系利用一回蚀刻(Etching Back)方法。5.如申请专利范围第1项所述之双重金属镶嵌制程,其中该第二蚀刻步骤系利用一回蚀刻方法。6.一种双重金属镶嵌制程,至少包括:提供一基材,其中该基材上至少包括一介电层;形成一孤立介层窗以及复数个密集介层窗位于该介电层中;形成一第一牺牲层覆盖在该孤立介层窗、该些密集介层窗、以及该介电层上,并填满该孤立介层窗以及该些密集介层窗;去除部分之该第一牺牲层,并暴露出该介电层、该孤立介层窗之一部分、以及该些密集介层窗之一部分;形成一第二牺牲层覆盖在该介电层、该孤立介层窗之该部分、以及该些密集介层窗之该部分,并填满该孤立介层窗以及该些密集介层窗;以及去除该第二牺牲层以及另一部分之该第一牺牲层,而分别在该孤立介层窗与每一该些密集介层窗中形成一牺牲插塞。7.如申请专利范围第6项所述之双重金属镶嵌制程,其中该基材与该介电层之间更至少包括一蚀刻终止层。8.如申请专利范围第7项所述之双重金属镶嵌制程,其中形成该孤立介层窗以及该些密集介层窗之步骤更至少包括去除部分之该介电层直至约暴露出部分之该蚀刻终止层。9.如申请专利范围第6项所述之双重金属镶嵌制程,其中形成该第一牺牲层之步骤系利用一涂布方法。10.如申请专利范围第6项所述之双重金属镶嵌制程,其中去除该第一牺牲层之该部分的步骤系利用一回蚀刻方法。11.如申请专利范围第6项所述之双重金属镶嵌制程,其中形成该第二牺牲层之步骤系利用一涂布方法。12.如申请专利范围第6项所述之双重金属镶嵌制程,其中去除该第二牺牲层以及该第一牺牲层之该另一部分的步骤系利用一回蚀刻方法。13.一种双重金属镶嵌制程,至少包括:提供一基材,其中该基材上至少包括一介电层;形成一孤立介层窗以及复数个密集介层窗位于该介电层中;以及以一预设次数依序进行一涂布步骤以及一蚀刻步骤,藉以在该孤立介层窗以及每一该些密集介层窗中形成一牺牲插塞。14.如申请专利范围第13项所述之双重金属镶嵌制程,其中该基材与该介电层之间更至少包括一蚀刻终止层。15.如申请专利范围第14项所述之双重金属镶嵌制程,其中形成该孤立介层窗以及该些密集介层窗之步骤更至少包括去除部分之该介电层直至约暴露出部分之该蚀刻终止层。16.如申请专利范围第13项所述之双重金属镶嵌制程,其中该预设次数至少大于两次。17.如申请专利范围第13项所述之双重金属镶嵌制程,其中该蚀刻步骤系利用一回蚀刻方法。18.如申请专利范围第13项所述之双重金属镶嵌制程,其中该涂布步骤至少包括形成一牺牲层覆盖在该介电层、该孤立介层窗、以及该些密集介层窗上,且该牺牲层填满该孤立介层窗以及该些密集介层窗。19.如申请专利范围第18项所述之双重金属镶嵌制程,其中该蚀刻步骤至少包括去除部分之该牺牲层,而暴露出该介电层、部分之该孤立介层窗、以及该些密集介层窗之一部分。图式简单说明:第1图至第3图为绘示习知双重金属镶嵌的制程剖面图;以及第4图至第8图为绘示本发明之一较佳实施例之双重金属镶嵌的制程剖面图。 |
