磁阻随机存取记忆体单元及具有最大读取信号与减少之电磁干扰之阵列架构

摘要

一种磁阻随机存取记忆体(MRAM)记忆体，其具有最大读取信号，此有利于MRAM位元之高速感应，在MRAM记忆体中，其具有磁阻记忆体单元结合在一起以形成逻辑结构化的列及行，它可藉由至少在写入期间将二个相邻列或行之写入位元线互连来得到，俾将反资料值写入二个相邻记忆体单元，依此，用于写入电流之返回路径在一小回路中被提供其可强化电磁相容(EMC)行为。