| 主权项 |
1.一种重量平均分子量1,000至500,000之高分子化合物,其系含有下式(1-1)或式(1-2)所示重复单位者,(式中,R1.R2.R3.R4为氢原子或碳数1至15之直链状、支链状或环状烷基,且R1与R2.R3与R4可分别键结形成环,此时,R1与R2.R3与R4系组合为碳数2至15之直链状、支链状或环状伸烷基,k为0或1)。2.如申请专利范围第1项之高分子化合物,其中,除上式(1-1)所示重复单位以外,尚含有下记式(2-1)所示重复单位者;(式中,R5为氢原子、甲基或CH2CO2R7;R6为氢原子、甲基或CO2R7;R7为与R5.R6相同或不同之碳数1至15之直链状、支链状或环状之烷基;R8为酸不稳定基;R9为卤素原子、羟基、碳数1至15之直链状、支链状或环状烷氧基、醯氧基、烷磺醯氧基,或碳数2至15之直链状、支链状或环状烷氧羰氧基或烷氧烷氧基,其结构碳原子上之氢原子的一部份或全部可被卤素原子所取代;Z为单键或碳数1至5之直链状、支链状或环状之(p+2)价烃基,为烃基之情形中,其1个以上之伸甲基可被氧原子所取代而形成链状或环状之醚,同一碳原子上之2个氢原子亦可被氧原子取代而形成酮;k'为0或1;p为0.1或2)。3.如申请专利范围第1项之高分子化合物,其中,除上式(1-1)所示重复单位以外,尚含有下记式(2-1)与式(3)所示重复单位者;(式中,k、p、R5至R9具有与上记相同之内容,Y为-O-或-(NR10)-,R10为氢原子或碳数1至15之直链状、支链状或环状烷基)。4.如申请专利范围第1项之之高分子化合物,其中,除上式(1-1)所示重复单位以外,尚含有下记式(4)所示重复单位或下记式(2-1)所示重复单位及下记式(4)所示重复单位与,再含有下记式(3)所示重复单位者;(式中,k、p、R5至R9.Y具有与上记相同之内容,R5'为氢原子、甲基或CH2CO2R7';R6'为氢原子、甲基或CO2R7';R7'为与R5'、R6'相同或不同之碳数1至15之直链状、支链状或环状之烷基;R8'为酸不稳定基)。5.如申请专利范围第1项之高分子化合物,其中,除上式(1-2)所示重复单位以外,尚含有下记式(2-2)所示重复单位者;(式中,k'、p、R5至R9具有与上记相同之内容)。6.一种光阻材料,其系包含申请专利范围第1至5项中任一项之高分子化合物者。7.一种图型之形成方法,其系包含将申请专利范围第6项之光阻材料涂布于基板上之步骤与,于加热处理后介由光罩使用高能量线或电子线进行曝光之步骤与,必要时于加热处理后,使用显影液进行显影等步骤。8.一种下记式(5)所示之四氢喃化合物,(式中,R1.R2.k具有与上记相同之内容)。9.一种下记式(6)所示之四氢喃化合物,(式中,R1.R2具有与上记相同之内容)。10.一种下记式(5)所示之四氢喃化合物之制造方法,其特征系使下式(7)所示二醇化合物于分子内进行脱水之方法,(式中,R1.R2.k具有与上记相同之内容,(a)步骤系为脱水反应)。11.一种下记式(5)所示之四氢喃化合物之制造方法,其特征系将式(7)所示二醇化合物导向含有X所示解离基之化合物(8-1)及/或(8-2),再经由硷基处理使其环化之方法,(式中,R1.R2.k具有与上记相同之内容;X为卤素、烷基环醯氧基、或芳基磺醯氧基;(a)步骤为羟基之卤素取代反应、烷基磺醯化反应或芳基磺醯化反应;(b)步骤为脱HX反应)。 |
