| 主权项 |
1.一种制造薄型可弯曲的天线的方法,该方法包括以下步骤:(a)放置一层可弯曲绝缘媒体于一释放层或者基板之上以及制造该绝缘媒体层的图样以便形成孔穴于其中;(b)放置一金属层于该先前放置绝缘层之上,如同制作图样,以及必要时制作该金属层的图样;(c)放置一层可弯曲绝缘媒体于该先前放置金属层之上,如同制作图样,以及制造该绝缘媒体层的图样以便形成孔穴于其中;(d)重复所需要的步骤(b)与(c)以便形成多层高阻抗表面,该多层高阻抗表面具有根据步骤(b)的先前放置于那里的金属层而已经制作图样的天线区段的上方表面,形成于从该上方表面等距分隔的金属上方元件阵列,该金属上方元件阵列根据步骤(b)的先前放置于那里的金属层而已经制作图样,形成于从该金属上方元件阵列等距分隔的金属接地平面,该金属接地平面根据步骤(b)的先前放置于那里的金属层而已经制作图样,以及连接在该金属上方元件阵列中的每一该上方元件与该接地平面的电感元件,该等电感元件根据步骤(b)的先前放置于那里的一或者更多的金属层而已经制作图样;(e)放置光学控制开关相邻于至少一选定的该天线区段以便相互连接该相邻天线区段作为对于光线照射相关于每一光学控制开关的反应;以及(f)放置光学波导或光纤位于该高阻抗表面上或者相邻该高阻抗表面,每一光学波导或光纤的末端被连接至对应的该等光学控制开关以便连接由该光学波导或光纤所传递的光线至相关于该等光学控制开关的光电压单元。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该等光学控制开关是MEM开关。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中在步骤(d)中,该等电感元件包括形成串联于连接该上方元件阵列与该接地平面的贯孔之分离电感,该分离电感是形成于绝缘媒体层之上。4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该等光学波导或光纤被放置于基板上或基板之中,该基板具有较相关于该等光学波导或光纤的折射率为低的折射率。5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该绝缘媒体是复硫亚氨。6.一种制造天线的方法,该方法包括以下步骤:(a)制作一绝缘媒体层的图样以便形成孔穴于其中;(b)放置一金属层于该先前放置的绝缘层之上,如同制作图样,以及必要时制作该金属层的图样;(c)放置一绝缘媒体层于该先前放置金属层之上,如同制作图样,以及制造该绝缘媒体层的图样以便形成孔穴于其中;(d)重复所需要的步骤(b)与(c)以便形成多层高阻抗表面,该多层高阻抗表面具有根据步骤(b)的先前放置于那里的金属层而已经制作图样的天线区段的上方表面,形成于从该上方表面等距分隔的金属上方元件阵列,该金属上方元件阵列根据步骤(b)的先前放置于那里的金属层而已经制作图样,形成于从该金属上方元件阵列等距分隔的金属接地平面,该金属接地平面根据步骤(b)的先前放置于那里的金属层而已经制作图样,以及连接在该金属上方元件阵列中的每一该上方元件与该接地平面的电感元件,该等电感元件根据步骤(b)的先前放置于那里的一或者更多的金属层而已经制作图样;(e)放置远端控制开关相邻于至少一选定的该天线区段以便相互连接该相邻天线区段作为对于相关于每一光学控制开关的启动信号的反应;以及(f)放置启动信号通道位于该高阻抗表面之中或者相邻该高阻抗表面,每一通道的末端是作用至相关的该等远端控制开关的对应一者以便连接由该通道所传递的该启动信号至该等相关的远端控制开关。7.如申请专利范围第6项所述之方法,其中该等远端控制开关是MEM开关。8.如申请专利范围第7项所述之方法,其中该等远端控制开关是光学控制MEM开关。9.如申请专利范围第8项所述之方法,其中该等通道是界定为放置于基板上或基板之中的光学波导或光纤。10.如申请专利范围第6项所述之方法,其中在步骤(d)中,该等电感元件包括形成串联于连接该上方元件阵列与该接地平面的贯孔之分离电感,该分离电感是形成于绝缘媒体层之上。11.一种可弯曲天线阵列,包括:(a)复数薄金属层与可弯曲绝缘层,配置如同三明治层般,每一层的该三明治视其需要地制作图样界定为:(i)天线区段,其制作图样于该金属层的一者中,(ii)金属上方元件阵列,其形成于从该天线区段等距分隔的层中,该金属上方元件阵列是制作图样于另一金属层中,(iii)金属接地平面,其形成于从该金属上方元件阵列等距分隔的层中,该金属接地平面仍旧已经制作图样于另一金属层中,以及(iv)电感元件,其连接在该金属上方元件阵列中的每一该上方元件与该接地平面;以及(b)远端控制开关阵列,其用以相互连接该天线区段的选定部分。12.如申请专利范围第11项所述之阵列,其中该等开关是光学控制MEMs开关。13.如申请专利范围第12项所述之阵列,另外包括支撑光纤的电介质层,该电介质层是放置相邻于该等MEMs开关以及该等光纤具有相关反射表面以便反射由该等光纤或者波导所传递的光线进入相关于该光学控制MEMs开关的光敏表面。14.如申请专利范围第13项所述之阵列,其中该电介质层具有形成于其中的复数洞穴用以当该电介质层是放置相邻于该等MEM开关时能容纳该等MEM开关。15.如申请专利范围第13项所述之阵列,其中该等波导或者光纤是放置于该电介质层之上或者其中以及该电介质层具有较相关于该等光学波导或光纤的折射率为低的折射率。16.如申请专利范围第11项所述之阵列,其中该等电感是放置于两层可弯曲绝缘媒体之间的螺旋形电感。17.如申请专利范围第11项所述之阵列,其中该等可弯曲绝缘媒体层是复硫亚氨层。图式简单说明:第1图是经过制造于矽基板上的薄膜铜/复硫亚氨多层HDMI MCM-D整合结构的剖面图;第2图描述从可重复使用的石英载具或者基板而剥去外皮的HDMI花样。第3a图是根据本发明的HDMI重置型天线的剖面图;第3b图是第3a图的HDMI重置型天线的透视图,为了明晰目的而省略该复硫亚氨层以及该电介质上层;以及第4图光学控制MEMS开关的上视图。 |
