| 摘要 |
本发明系提供一种半导体积体电路装置及其制造方法之相关技术，其系将导入于导电型及闸极氧化膜厚之相异的4种类之MISFET之闸极氧化膜和基板(阱)之界面之氮气浓度予以作成最佳化，而使相对于热载体之信赖性和相对于NBT之信赖性之双方面同时成立。藉由在含有NO(一氧化氮)之环境气体中，将基板1进行热处理之氧氮化处理、以及使用氮气之离子布植之措施，而无须追加光学遮罩，而将导入于闸极氧化膜和基板(阱)之界面近傍之氮气浓度，自较高之方面而依序作成具有厚的闸极氧化膜6b之n通道型MISFET(Qn2)＞具有薄的闸极氧化膜6a之n通道型MISFET(Qn1)＞具有厚的闸极氧化膜6b之p通道型MISFET(Qp2)、具有薄的闸极氧化膜6a之p通道型MISFET(Qp1)。 |
