用于互补式金氧半导体场效应电晶体之金属间隙壁闸门

摘要

一种金氧半导体电晶体的方法及结构，包含一底材、一位于底材内之井区、位于底材之井区之相反侧之源极及汲极区域、一覆于底材之井区之闸绝缘体、一覆于闸绝缘体之多晶矽闸导体，以及一位于闸导体侧壁之金属间隙壁。