半导体装置

摘要

本发明揭示一种功能为碳锗化矽异双极电晶体(SiGeC–HBT)之半导体装置，其中一射极／基极堆叠部分20形成于一矽(Si)磊晶生长层2上。该射极／基极堆叠部分20包括一碳锗化矽(SiGeC)间隔层21；一含高浓度硼之SiGeC核心基极层22，一锗化矽(SiGe)帽罩层23；一Si帽罩层24，及一藉由在该Si帽罩层24及SiGe帽罩层23引入磷而形成之射极层25。