发明名称 使用四道遮罩制程形成横向电场驱动液晶显示面板的方法
摘要 一种使用四道遮罩制程形成横向电场驱动液晶显示面板的方法。本方法的主要特征是用相同的遮罩来形成复数个非晶矽岛与复数个接触孔。其中,任一非晶矽岛系用来形成用以控制位于主动区域内液晶显示面板像素之电晶体的通道,而接触孔系用来控制位于主动区域周围之抗静电放电保护电路。本方法之另一大特征是使用一移相遮罩来形成上述非晶矽岛与上述接触孔。其中,位于上述接触孔上方之部份移相遮罩并没有任何图案,位于主动区域内各电晶体上方与位于抗静电放电保护电路上方之部份移相遮罩具有低透光率图案,而移相遮罩其它部份具有高透光率图案。代表图示:第二B图代表图示符号:20底材22绝缘层23 矽层24半导体层211 第一金属线212 第二金属线213 第三金属线260 透明底材261低光率图案262 高透光率图案263 光阻层
申请公布号 TW584908 申请公布日期 2004.04.21
申请号 TW092108731 申请日期 2003.04.15
申请人 瀚宇彩晶股份有限公司 发明人 李得秀;田中荣
分类号 H01L21/30 主分类号 H01L21/30
代理机构 代理人 陈达仁 台北市中山区南京东路二段一一一号八楼之三;谢德铭 台北市中山区南京东路二段一一一号八楼之三
主权项 1.一种使用四道遮罩制程形成横向电场驱动液晶显示面板的方法,包括下列步骤:提供一底材,该底材至少包含下列三个区域:一第一区域、一第二区域以及一第三区域;形成一第一金属层在该底材上;使用一第一遮罩图案化该第一金属层,以形成复数个第一金属线于该第一区域,复数个第二金属线于该第二区域、及复数个第三金属线被形成在该第三区域;依序形成一绝缘层、一矽层和一半导体层于该底材与该复数个第一金属线、该复数个第二金属线与该复数个第三金属线上;使用一第二遮罩形成一光阻层在该半导体层上,其中该光阻层具有复数个开口于该复数个第三金属线上,该光阻层具有一厚部份光阻与一薄部份光阻,该厚部份光阻系位于该复数个第二金属线与该复数个第二金属线之附近区域、该复数个第三金属线以及位于该第三区域内之该半导体层的上方,该薄部份光阻则位于该半导体层其它部份的上方;以该光阻层为遮罩去除部份该半导体层、该矽层与该绝缘层,以令该复数个第三金属线由该半导体层、该矽层与该绝缘层中的复数个第一接触孔露出;灰化(ashing)处理该光阻层,以去除该薄部份光阻并减少该厚部份光阻的厚度;以经上述灰化处理后之该光阻层为遮罩去除部份该半导体层与该矽层,以露出部份该绝缘层;去除经上述灰化处理后之该光阻层;形成一第二金属层于上述露出之该绝缘层与该半导体层上,其中该第二金属层系填入该复数个第一接触孔;使用一第三遮罩图案化该第二金属层,以形成复数个第二接触孔于该第二金属层内及于该复数个第二金属线与该复数个第三金属线上,其中该复数个第二接触孔与该复数个第一接触孔不重叠;去除由该复数个第二接触孔露出之部份该半导体层;以及形成一保护层于该第二金属层、上述露出之该绝缘层以及该矽层上方。2.如申请专利范围第1项所述之使用四道遮罩制程形成横向电场驱动液晶显示面板的方法,其中该第一区域为一共同线/像素区域,该第二区域为一电晶体区域,该第三区域为一抗静电放电保护电路区域。3.如申请专利范围第1项所述之使用四道遮罩制程形成横向电场驱动液晶显示面板的方法,其中更包括使用一第四遮罩形成复数个外线黏接接垫于该底材上方的步骤。4.如申请专利范围第1项所述之使用四道遮罩制程形成横向电场驱动液晶显示面板的方法,其中该第二遮罩为一移相遮罩。5.如申请专利范围第4项所述之使用四道遮罩制程形成横向电场驱动液晶显示面板的方法,其中该移相遮罩系由一透明底材、一高透光率图案与一低透光率图案所形成,该高透光率图案系位于该透明底材上,并位于该薄部份光阻的上方,该低透光率图案系位于该透明底材上,并位于该厚部份光阻的上方。6.如申请专利范围第5项所述之使用四道遮罩制程形成横向电场驱动液晶显示面板的方法,其中该高透光率图案之透光率为百分之三十至百分之七十。7.如申请专利范围第6项所述之使用四道遮罩制程形成横向电场驱动液晶显示面板的方法,其中该低透光率图案之透光率系低于百分之三十。8.如申请专利范围第1项所述之使用四道遮罩制程形成横向电场驱动液晶显示面板的方法,其中该高透光率图案系由矽化物层所形成。9.如申请专利范围第8项所述之使用四道遮罩制程形成横向电场驱动液晶显示面板的方法,其中该矽化物层为一矽化锰层。10.如申请专利范围第1项所述之使用四道遮罩制程形成横向电场驱动液晶显示面板的方法,其中该低透光率图案系由矽化物层与铬层所形成。11.如申请专利范围第10项所述之使用四道遮罩制程形成横向电场驱动液晶显示面板的方法,其中该铬层为一低电阻値铬层。12.如申请专利范围第1项所述之使用四道遮罩制程形成横向电场驱动液晶显示面板的方法,其中该半导体层为一N+型非晶矽层。13.如申请专利范围第1项所述之使用四道遮罩制程形成横向电场驱动液晶显示面板的方法,其中该半导体层为一非晶矽层。14.一种横向电场驱动液晶显示面板,包含:一底材;一主动区域,该主动区域位于该底材上;复数个传导线,该复数个传导线系位于该底材上,其中每一该传导线皆电性连接至该主动区域,并有位于该主动区域外的一端点;以及复数个抗静电放电保护电路,该复数个抗静电放电保护电路系位于该底材上,其中每一该抗静电放电保护电路皆电性连接至任一该传导线,并且任一该抗静电放电保护电路皆至少包含:一闸极电极,位于该底材上;一绝缘层,位于该底材与该闸极电极上,该绝缘层具有一第一接触孔并露出该闸极电极;一矽层,位于上述露出之该绝缘层上;一半导体层,位于该矽层上,其中该半导体层具有一第二接触孔并露出该矽层;一导体层,位于该半导体层上,该导体层并填入该第一接触孔;以及一保护层,位于该导体层及由该第二接触孔露出的该矽层上。15.如申请专利范围第14项所述之横向电场驱动液晶显示面板,其中该导体层系直接接触到该半导体层表面以及该第一接触孔侧壁。16.如申请专利范围第14项所述之横向电场驱动液晶显示面板,其中该矽层为一非晶矽层。17.如申请专利范围第14项所述之横向电场驱动液晶显示面板,其中该半导体层为一N+型非晶矽层。18.如申请专利范围第14项所述之横向电场驱动液晶显示面板,其中该导体层系用来形成位于该主动区域的该复数个传导线。19.如申请专利范围第14项所述之横向电场驱动液晶显示面板,其中该导体层系用来形成位于该底材上之复数个像素电极。图式简单说明:第一A图至第一F图系显示三星所提出方法之基本步骤的横截面示意图;第二A图至第二F图是本发明之一较佳实施例之基本步骤的横截面示意图;以及第三A图至第三B图是本发明之另一较佳实施例之基本结构的示意图。
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