| 发明名称 | 静电放电保护电路及其设计方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种静电放电保护电路，包括一芯片，具有接收第一电源的输入输出装置区以及接收第二电源的核心元件区，核心元件区具有耦接于第二电源的接合垫，以及NMOS晶体管，其源极耦接于一接地电位。保护电路耦接于芯片以及接合垫之间，具有PMOS晶体管，其栅极耦接于接地电位，源极耦接于第二电源，而漏极系耦接于NMOS晶体管的栅极。 | ||
| 申请公布号 | CN1494146A | 申请公布日期 | 2004.05.05 |
| 申请号 | CN02137765.0 | 申请日期 | 2002.10.31 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 俞大立 |
| 分类号 | H01L23/60 | 主分类号 | H01L23/60 |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所 | 代理人 | 陈亮 |
| 主权项 | 1.一种静电放电保护电路，包括：一芯片，具有接收第一电源的输入输出装置区以及接收第二电源的核心元件区，上述核心元件区具有耦接于上述第二电源的接合垫，以及一NMOS晶体管，其源极耦接于一接地电位；以及一保护电路，耦接于上述芯片以及上述接合垫之间，具有一PMOS晶体管，其栅极耦接于上述接地电位，源极耦接于上述第二电源，而漏极耦接于上述NMOS晶体管的栅极。 | ||
| 地址 | 201203上海市张江路18号 | ||