发明名称 一种钙钛矿薄膜电容结构及其制造方法
摘要 本案系指一种于低温下之电晶体钙钛矿电容结构及其制造方法,其包含下列步骤:(a)提供一基板;(b)形成一钌薄膜于该基板上;以及(c)再依序形成一第一钌酸锶钡电极、一钙钛矿电容材料之结构、及一第二钌酸锶钡电极结构于该钌薄膜上。
申请公布号 TW200409339 申请公布日期 2004.06.01
申请号 TW091133891 申请日期 2002.11.20
申请人 国立交通大学 发明人 林鹏;曾俊元;帝人杜邦菲林日本股份有限公司;JAPAN LIMITED
分类号 H01L27/02 主分类号 H01L27/02
代理机构 代理人 蔡清福
主权项
地址 新竹市东区大学路一○○一号