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发明名称
一种钙钛矿薄膜电容结构及其制造方法
摘要
本案系指一种于低温下之电晶体钙钛矿电容结构及其制造方法,其包含下列步骤:(a)提供一基板;(b)形成一钌薄膜于该基板上;以及(c)再依序形成一第一钌酸锶钡电极、一钙钛矿电容材料之结构、及一第二钌酸锶钡电极结构于该钌薄膜上。
申请公布号
TW200409339
申请公布日期
2004.06.01
申请号
TW091133891
申请日期
2002.11.20
申请人
国立交通大学
发明人
林鹏;曾俊元;帝人杜邦菲林日本股份有限公司;JAPAN LIMITED
分类号
H01L27/02
主分类号
H01L27/02
代理机构
代理人
蔡清福
主权项
地址
新竹市东区大学路一○○一号
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