| 主权项 |
1.一种基材制程室,该基材制程室至少包含:一基材支撑,以支撑一基材,该基材具有一中心部份及一圆周;.一排气导管,具有一节流阀;一第一制程气体分配器,包含一或多数第一气体出口,适用以将一第一制程气体导引于基材圆周旁,及一第一流量表,以调整第一制程气体经过第一气体出口之第一流速;一第二制程气体分配器,包含一或多数第二气体出口,适用以将一第二制程气体导引于基材的中心部份,及一第二流量表,以调节经由第二气体出口之第二制程气体的第二流速;一气体激励器,激励于该室中之气体;及一控制器,以操作该基材支撑、第一及第二流量表、气体激励器、及节流阀,以处理于激励气体中之基材。2.如申请专利范围第1项所述之基材制程室,其中上述之控制器操作该第一及第二流量表,以设定第一流速高于第二流速。3.如申请专利范围第2项所述之基材制程室,其中上述之控制器操作第一及第二流量表,以设定第一流速足够高于第二流速,以在第二制程气体旁形成第一制程气体帘。4.如申请专利范围第2项所述之基材制程室,其中上述之控制器操作第一及第二流量表,以设定第一流速对第二流速之比例为至少约10:1。5.如申请专利范围第1项所述之基材制程室,其中上述之排气导管延伸至少部份于基材圆周旁,及其中上述之第一气体出口系适用以将第一制程气体导引向该排气导管。6.如申请专利范围第5项所述之基材制程室,其中上述之第一气体出口系定位于该排气导管及该第二气体出口之间。7.如申请专利范围第1项所述之基材制程室,其中上述之第一气体分配器包含一导管,以由一非反应气体源,接收一含非反应气体的第一制程气体,及该第二制程气体分配器包含一导管,以由一反应气体源,接收一含反应气体的第二制程气体。8.如申请专利范围第7项所述之基材制程室,其中上述之非反应气体包含稀释或惰性气体,及该反应气体包含一蚀刻气体,适用以蚀刻于基材上之材料。9.如申请专利范围第7项所述之基材制程室,其中上述之非反应气体包含一稀释或惰性气体,及该反应气体包含一沉积气体,适用以沉积材料于基材上。10.一种基材处理方法,至少包含步骤:(a)将一基材放置于一处理区域中,该基材具有一中心部份及一圆周,在一排气区域旁;(b)将一第一制程气体,以一第一流速导引于该基材圆周旁;(c)将一第二制程气体,以一第二流速导引向该基材的该中心部份;(d)激励于该处理区域中之该第一及该第二制程气体,以形成一激励气体;及(e)将该已激励气体经由该排气区域排出。11.如申请专利范围第10项所述之方法,更包含将该第一流速设定为高于该第二流速。12.如申请专利范围第11项所述之方法,更包含设定该第一流速足够高于该第二流速,以在该第二制程气体旁形成一第一制程气体帘。13.如申请专利范围第11项所述之方法,更包含将第一流速对第二流速之比例设定为至少约10:1。14.如申请专利范围第10项所述之方法,更包含将该第一制程气体导引向该排气区域。15.如申请专利范围第10项所述之方法,其中上述之第一制程气体包含一非反应气体及该第二制程气体包含一反应气体。16.如申请专利范围第15项所述之方法,其中上述之非反应气体包含稀释或惰性气体,及该反应气体包含一蚀刻气体,适用以蚀刻于该基材上之材料。17.如申请专利范围第15项所述之方法,其中上述之非反应气体包含一稀释或惰性气体,及该反应气体包含一沉积气体,适用以沉积材料于该基材上。18.一种基材制程室,至少包含:一基材支撑,以支撑一基材;一排气导管,至少部份于该基材支撑旁,该排气导管具有一节流阀;一气体分配器,包含(i)第一气体出口,适用以将一非反应气体导引向该排气导管,及第一流量表,以调节该非反应气体的流速至第一流速,及(ii)第二气体出口,适用以将一反应气体导引向该基材支撑,及一第二流量表,以将该反应气体的流速调节至一第二流速,其中该第一流速系足够地高于该第二流速,以在该反应气体旁形成一非反应气体帘;一气体激励器,以激励于该室中之气体;及一控制器,以操作该基材支撑、第一及第二流量表、气体激励器及节流阀,以处理于一激励气体中之基材。19.如申请专利范围第18项所述之基材制程室,其中上述之控制器操作该第一及第二流量表,以设定该第一流速对该第二流速之比例至少约10:1。20.一种基材处理方法,至少包含步骤:(a)将一基材放置于一处理区域中,该区域至少为一排气区域所部份包围,该基材具有一中心部份及一与排气区域相交界之圆周;(b)将一非反应气体以第一流速导引向该排气区域,及将一反应气体以第二流速导引向该基材的中心部份,其中该第一流速系足够高于该第二流速,以在该反应气体旁形成一非反应气体帘;(c)激励在该处理区域中之气体,以处理该基材;及(d)将诸气体经由该排气区域排出。21.如申请专利范围第20项所述之方法,更包含将该第一流速对该第二流速之比例设定为至少约10:1。图式简单说明:第1图为依据本发明之设备之剖面示意图;第2a及2b图为依据本发明之气体分配器的其他实施例的剖面示意图;第3a图为包含蚀刻室之设备的另一实施例之剖面示意图;第3b图为第3a图之蚀刻室之剖面俯视图,显示制程气体流入室中;第4a图为包含沉积室之设备的另一实施例之剖面示意图;第4b图为显示于第4a图之沉积室之气体分配器的俯视图;第5图为依据本发明之控制器实施例的方块图;及第6图为一图表,比较不同制程气体分配器及气体流量之模式化区域及全面制程气体伫留时间。 |
