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发明名称
使用金属氧化物半导体相位选择闸于相变记忆体之技术
摘要
一组NMOS场效应电晶体(22)可以被采用于驱动一组相变记忆体(10)之记忆胞(16)。因此,泄漏电流可以大幅度地被减低。
申请公布号
TW200410249
申请公布日期
2004.06.16
申请号
TW092112427
申请日期
2003.05.07
申请人
欧凡尼克斯股份有限公司
发明人
曼勒吉尔;泰勒洛瑞伊
分类号
G11C11/34
主分类号
G11C11/34
代理机构
代理人
恽轶群;陈文郎
主权项
地址
美国
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