具备设有磁性隧道连接之储存单元之薄膜磁性体记忆装置

摘要

本MRAM装置系将储存区块MB分割为4个领域A至D，并对应该4个领域A至D分别设置4个定电流电路13至16。位元线驱动器10至12系由4个领域A至D中选出2条1组共计8条之位元线BL，而使与该位元线BL对应之定电流电路之输出电流流入各位元线BL。因此，可使流入位元线BL中的写入电流稳定化，并进行稳定之资料写入处理。