| 摘要 |
本发明揭示一种基板为绝缘体氧化铝单晶之氮化镓发光二极体(LED)元件制备方法，其特征在于完成该元件之制作，只需两道微影制程，以省略知之繁复步骤。本发明步骤为直接将光阻涂布于氮化镓LED磊晶片表面，利用第一道微影制程形成LEDMesa结构所须图案，依序将透明金属电极及作为蚀刻罩幕之镍金属沉积于光阻表面，并于溶剂中利用超音波震荡方式，直接将蚀刻区之光阻及光阻表面的金属沉积层同时移除，利用乾式蚀刻形成LEDMesa结构。利用透明金属电极和镍金属互为选择性蚀刻金属之特性，去除镍金属层之后，配合第二道微影制程，同时进行N型金属电极、P型金属电极及导线连接处(ContactingPad)金属沉积层之蒸镀，而完成LED之制作。 |
