发明名称 浮动闸极的形成方法
摘要 本发明提供一种浮动闸极的形成方法,首先,提供一半导体基底,半导体基底上依序形成有一闸极介电层、一导电层、一第一绝缘层及一具有开口之图案化罩幕层,开口露出该第一绝缘层之表面;接着,以图案化罩幕层为蚀刻罩幕,依序蚀刻第一绝缘层及该导电层以形成一底角圆化之凹槽,并去除图案化罩幕层;然后,于底角圆化之凹槽内形成一第二绝缘层,及以第二绝缘层为蚀刻罩幕,依序去除第一绝缘层及未被第二绝缘层覆盖之导电层,以留下被第二绝缘层覆盖之导电层作为一浮动闸极。
申请公布号 TW200410412 申请公布日期 2004.06.16
申请号 TW091135712 申请日期 2002.12.10
申请人 南亚科技股份有限公司 发明人 赖朝文;孙玉琪;黄则尧
分类号 H01L29/78 主分类号 H01L29/78
代理机构 代理人 洪澄文;颜锦顺
主权项
地址 桃园县龟山乡华亚科技园区复兴三路六六九号