| 摘要 |
本发明为提供一种罩幕式唯读记忆体之制造方法，可以将在逻辑(logic)制程中所使用的双闸极(dualgate)制程和(自行对准)金属矽化物(Salicide)制程，应用在平面胞(flatcell)型式的罩幕式唯读记忆体中。本发明罩幕式唯读记忆体之制造方法，其特征为包含：提供被定义记忆胞阵列区域和周边区域的基板之制程；在记忆胞阵列区域和周边区域之间，形成元件隔离层的制程；在已经形成元件隔离层之基板的前面，形成闸极形成用物质层的制程；覆盖记忆胞阵列区域，选择蚀刻周边区域的闸极形成用物质层，形成第1闸极的制程；在周边区域的闸极侧面，形成绝缘间隙壁的制程；将闸极和绝缘间隙壁作为罩幕，对周边区域的基板，实施离子植入，形成源极／汲极的制程；在记忆胞阵列区域的闸极形成用物质层与周边区域的闸极和源极／汲极，形成金属矽化物的制程；覆盖周边区域，选择蚀刻记忆胞阵列区域的闸极形成用物质层，形成第2闸极的制程；以及在前述结果物上，形成保护层的制程。 |
