发明名称 | 高密度多晶片模组的结构及其方法 | ||
摘要 | 本发明系有关于一种高密度多晶片模组(MultiChipModule;MCM)的结构及形成方法。发明首先在一积体电路底材上依序形成一绝缘层及多层内连线层,其中多层内连线层之第一表面设有多数个第一焊垫、第二表面设有多数个第二焊垫。接着,利用研磨制程以减少积体电路底材的厚度,接下来再进行蚀刻制程依序贯穿积体电路底材及绝缘层,以于其内形成多数个导通孔,其中任一导通孔之底部均露出第二焊垫。接下来在多数个导通孔内填入金属以形成导通插塞,并在任一导通插塞之表面上形成第三焊垫。最后,可将至少一晶片电性连接至此第三焊垫,并针对任一晶片与第三焊垫接触处进行一覆晶接合构装制程,即可完成本发明之高密度多晶片模组。 | ||
申请公布号 | TW200411891 | 申请公布日期 | 2004.07.01 |
申请号 | TW091136733 | 申请日期 | 2002.12.19 |
申请人 | 威盛电子股份有限公司 | 发明人 | 何昆耀;宫振越 |
分类号 | H01L23/52 | 主分类号 | H01L23/52 |
代理机构 | 代理人 | 陈达仁;谢德铭 | |
主权项 | |||
地址 | 台北县新店市中正路五三三号八楼 |