| 摘要 |
本发明的课题为提供一种电晶体制造方法，可以降低短通道效应(shortchanneleffect)和逆短通道效应(reverseshortchanneleffect)。为了解决此课题，本发明的手段为：本发明的电晶体制造方法，其特征为包含：在半导体基板上依序形成使该基板的一部分露出之垫氧化层和氮化矽层；以垫氧化层和氮化矽层作为罩幕蚀刻基板以形成沟渠；在沟渠的内部依序形成第1氧化层和在第1氧化层的侧面之圆筒状的绝缘间隙壁；将包含第1氧化层和绝缘间隙壁的沟渠的内部加以填平，形成绝缘图案；蚀刻氮化矽层、绝缘图案和绝缘间隙壁，使垫氧化层露出；除去垫氧化层；除去绝缘间隙壁和第1氧化层；在残留的绝缘图案的两侧之下部基板，依序形成源极/汲极和LDD；在包含源极/汲极和LDD的基板上，形成第2氧化层；在LDD之间，依序形成通道阻绝层和在其下部的击穿阻绝层；以及在包含第2氧化层的沟渠内部，依序形成闸极绝缘层和闸极。 |
