发明名称 避免蚀刻停止层被蚀穿的镶嵌制程
摘要 一种避免蚀刻停止层被蚀穿的镶嵌制程。依序形成一蚀刻停止层与一介电层于基底上,并覆盖基底中的金属层。进行第一图案化制程,形成介层窗(via)穿越位在主动区的介电层。形成一第一光阻层于主动区中的介电层上,并填满介层窗。进行第二图案化制程,形成第一沟槽(trench)穿越位在密封环(sealring)区的介电层。去除部分第一光阻层使介层窗残留有第一光阻层。形成一第二光阻层于介电层上,并填满沟槽。部分回蚀第二光阻层而使沟槽中残留有第二光阻层。根据本发明,由于不用考虑介层窗与第一沟槽之间的蚀刻速率差别,而避免蚀刻停止层被蚀穿。
申请公布号 TW200412648 申请公布日期 2004.07.16
申请号 TW092100128 申请日期 2003.01.03
申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 发明人 陈昭成;林纲正
分类号 H01L21/768 主分类号 H01L21/768
代理机构 代理人 洪澄文;颜锦顺
主权项
地址 新竹市新竹科学工业园区园区三路一二一号