可避免寄生漏电流之沟槽电容器制程

摘要

本发明系关于一种可避免寄生漏电流之沟槽电容器制程，适用于阻绝一沟槽电容器外之寄生电晶体的形成，包括下列步骤：形成一掺杂层及一上盖层覆盖于沟槽之部份侧壁上；以及对此掺杂层进行一热回火程序以形成一掺杂区，其中此掺杂区系邻近于沟槽侧壁外之半导体基底内，以阻绝由位于沟槽侧壁外之寄生电晶体所产生之寄生漏电流。