发明名称 半导体装置及其制造方法
摘要 接触柱塞17a、17b,其上表面之面积系大于下表面之面积。藉此,可使接触柱塞17a、17b,与连接于该接触柱塞17a、17b之上表面之杜塞之间形成良好之连接。
申请公布号 TW200412651 申请公布日期 2004.07.16
申请号 TW092116762 申请日期 2003.06.20
申请人 瑞萨科技股份有限公司 发明人 广川太一;川濑佑介;松村明
分类号 H01L21/768 主分类号 H01L21/768
代理机构 代理人 洪武雄;陈昭诚
主权项
地址 日本