透明导电膜及其成膜方法

摘要

本发明系利用包含铟氧化物与锡氧化物之靶材，边施加DC偏压或RF偏压于有机物基板上边藉着溅镀气体之强制气流将靶材之溅镀粒子输送至该有机物基板上堆积。此时，使有机物基板以能受到电浆影响的方式来接近靶材。藉此，在有机物基板上形成电阻率为10^–3Ω．cm以下之ITO透明导电膜。形成之ITO透明导电膜在X射线绕射中，氧化铟锡之(222)面的峰值强度与(400)面的峰值强度比为1：1～4：1。