发明名称 处理PVD标靶结构之非溅射区域以形成颗粒陷阱之方法,以及包含沿非溅射区域突出物之PVD标靶结构METHODS OF TREATING NON-SPUTTERED REGIONS OF PVD TARGET CONSTRUCTIONS TO FORM PARTICLE TRAPS, AND PVD TARGET CONSTRUCTIONS COMPRISING PROJECTIONS ALONG A NON-SPUTTERED REGION
摘要 本发明包括具非溅射区域(如例如侧壁)及沿非溅射区形成颗粒陷阱之特征之PVD标靶。在特别观点中,颗粒陷阱特征可包括弯曲突出物形成容器之图案及可包括在弯曲突出物上之微结构。标靶可为标靶/背衬板结构之一部分或可为单块的。本发明亦包括形成沿溅射标靶侧壁或沿标靶/背衬板结构之颗粒陷阱特征之方法。此特征可藉最初沿侧壁形成突出物之图案形成。突出物可弯曲且随后暴露在颗粒中以便在弯曲突出物上形成微结构。
申请公布号 TW200413552 申请公布日期 2004.08.01
申请号 TW092119426 申请日期 2003.07.16
申请人 哈尼威尔国际公司 发明人 金在衍
分类号 C23C14/34 主分类号 C23C14/34
代理机构 代理人 陈长文
主权项
地址 美国