| 摘要 |
一种具有降低的闸极电阻之绝缘闸极半导体装置(100)及该半导体装置(100)之制造方法。一闸极结构(112)形成于一半岛体基板(102)之主要表面(104)上。连续之氮化物间隔体(118，128)形成于该闸极结构(112)之侧壁相邻处。使用单一蚀刻将氮化物间隔体(118，128)蚀刻并且凹入以暴露出闸极结构(112)之上部分(115A，117A)。源极(132)和汲极(134)区域系形成于该半导体基板(102)中。矽化物区域(140，142，144)系形成于闸极结构(112)之上表面(109)和暴露之上部分(115A，117A)以及源极区域(132)和汲极区域(134)上。电极(150，152，154)与相对应之闸极结构(112)、源极区域(132)、以及汲极区域(134)之矽化物(140，142，144)接触而形成。 |
