METHOD FOR DEPOSITING SILICON

摘要

Das erfindungsgemässe Verfahren zur Abscheidung von Silizium auf einem Substrat legt in der Phasmakammer zunächst ein reaktives siliziumhaltiges Gas und Wasserstoff vorstartet und dann das Plasma. Nach dem Plasmastart wird der Plasmakammer alternativ kontinuierlich nur reaktives siliziumhaltiges Gas oder eine Gasmischung mit Wasserstoff zugeführt, und gleichzeitig das in der Kammer vorliegende Gasgemisch zumindest teilweise aus der Kammer abgeleitet. In Anwesenheit von Wasserstoff scheidet sich dabei homogen mikrokristallines Silizium auf dem Substrat von Anfang an ab.