一种具高细胞元密度之沟渠式高功率半导体元件及制造方法

摘要

一种具高细胞元密度之沟渠式高功率半导体元件及制造方法，该高功率半导体元件至少包含一基材、基体区与一横跨此基体区之沟渠式闸极结构，其中此基体区系由两极性相反之磊晶层所组成，且于其中形成有高功率半导体元件之源极区，而此闸极结构之上表面覆盖有一氮化矽层，用以阻隔此闸极结构与后续成长之金属层发生电性连接。