制造浅沟槽隔离结构(STI)的方法

摘要

本发明系关于一种在半导体基底上，具有良好填沟能力的浅沟槽隔离结构制造方法。首先，在半导体基底上形成沟槽，并在该沟槽之底部与侧壁依序形成内衬氧化物层与内衬氮化矽层。接着在该沟槽中顺应性的沈积部分高密度电浆氧化物层(HDPoxide)。接着，在半导体基底表面顺应性的形成一多晶矽层，再将半导体基底进行热处理以氧化该多晶矽层。接着将该半导体基底表面进行平坦化制程，以形成浅沟槽隔离结构(STI)。藉由该高密度电浆氧化物与氧化后的多晶矽层，可以在沟槽中形成填充良好无孔洞的隔离结构。