| 主权项 |
1.一种交错耦合晶片型带通滤波器,具有复数层结构,由上至下依序包括:一第一接地层,具有一基底及一第一接地金属片,该第一接地金属片形成于该第一接地层之该基底之一表面上;一第一电容层,具有一基底、一第一输出入埠金属电极片及一第二输出入埠金属电极片,第一输出入埠金属电极片及第二输出入埠金属电极片形成于该基底之一表面上;一第二电容层,具有一基底、一第一耦合金属电极片及一第二耦合金属电极片,二耦合金属电极片形成于该基底之一表面上,第一耦合金属电极片与该第二输出入埠金属电极片电气连接;一第二接地层,具有一基底及一第二接地金属片,该第二接地金属片形成于该第二接地层之该基底之一表面上;一传输线层,具有一基底及三个传输金属片,三个传输金属片形成于该传输线层之该基底之一表面上,其中二传输金属片分别与第一输出入埠金属电极片及第二输出入埠金属电极片电气连接,另一传输金属片与第二电容层之第二耦合金属电极片电气连接;及一第三接地层,具有一基底及一第三接地金属片,该第三接地金属片形成于该第三接地层之该基底之一表面上,该第三接地金属片与第一接地金属片及第二接地金属片电气连接。2.如申请专利范围第1项之带通滤波器,另包括复数个侧面电极片,用以作为该第三接地金属片与第一接地金属片及第二接地金属片之电气连接,以及二传输金属片分别与第一输出入埠金属电极片及第二输出入埠金属电极片电气连接。3.如申请专利范围第1项之带通滤波器,另包括二穿孔连接金属片,其中一穿孔连接金属片用以贯穿该第一电容层之基底,俾使该第一耦合金属电极片与该第二输出入埠金属电极片电气连接;另一穿孔连接金属片用以贯穿该第二电容层及该第二接地层之基底,俾使一传输金属片与第二电容层之第二耦合金属电极片电气连接。4.如申请专利范围第1项之带通滤波器,该第一输出入埠金属电极片具有一第一输出入埠区域及一耦合区域,该第二输出入埠金属电极片具有一第二输出入埠区域及一耦合区域。5.一种交错耦合晶片型带通滤波器,具有复数层结构,由上至下依序包括:一第一接地层,具有一基底及一第一接地金属片,该第一接地金属片形成于该第一接地层之该基底之一表面上;一第一电容层,具有一基底及一第一金属电极片,该第一金属电极片形成于该基底之一表面上;一第二电容层,具有一基底及一第二金属电极片,该第二金属电极片形成于该基底之一表面上,该第二金属电极片具有一第二输出入埠区域及一耦合区域;一第三电容层,具有一基底及一第三金属电极片,该第三金属电极片形成于该基底之一表面上,该第三金属电极片具有一第一输出入埠区域及一耦合区域;一第四电容层,具有一基底及一第四金属电极片,该第四金属电极片形成于该基底之一表面上,该第四金属电极片与该第一金属电极片电气连接;一第二接地层,具有一基底及一第二接地金属片,该第二接地金属片形成于该第二接地层之该基底之一表面上;一传输线层,具有一基底及三个传输金属片,三个传输金属片形成于该传输线层之该基底之一表面上,其中二传输金属片分别与第一输出入埠区域及第二输出入埠区域电气连接,另一传输金属片与第四电容层之第四金属电极片电气连接;及一第三接地层,具有一基底及一第三接地金属片,该第三接地金属片形成于该第三接地层之该基底之一表面上,该第三接地金属片与第一接地金属片及第二接地金属片电气连接。6.如申请专利范围第5项之带通滤波器,另包括复数个侧面电极片,用以作为该第三接地金属片与第一接地金属片及第二接地金属片之电气连接,以及二传输金属片分别与第一输出入埠区域及第二输出入埠区域电气连接。7.如申请专利范围第5项之带通滤波器,另包括二穿孔连接金属片,其中一穿孔连接金属片用以贯穿该第一电容层、第二电容层及第三电容层之基底,俾使该第一金属电极片与该第四金属电极片电气连接;另一穿孔连接金属片用以贯穿第四电容层及第二接地层之基底,俾使一传输金属片与第四金属电极片电气连接。图式简单说明:图1为本发明第一实施例之带通滤波器之立体分解图;图2为本发明第二实施例之带通滤波器之立体分解图;图3为本发明之带通滤波器之等效电路图;及图4为本发明之带通滤波器之电磁模拟结果图。 |
