| 摘要 |
本发明的半导体装置具备有：n型GaAs层所组成之集极接触层；及形成在前述集极接触层上的n型GaAs层所组成之第1集极层；及形成在前述第1集极层上的p型GaAs层所组成之第2集极层；及形成在前述第2集极层上的n型InGaP层所组成之第3集极层；及形成在前述第3集极层上，杂质浓度比前述第3集极层还高的n型InGaP层所组成之第4集极层；及形成在前述第4集极层上的n型GaAs层所组成之第5集极层；及形成在前述第5集极层上的p型GaAs层所组成之基极层；及形成在前述基极层上的n型InGaP层所组成之射极层。 |
