使沟槽电容之沟槽均匀填入罩幕层的方法及形成具有均匀一致之沟槽电容之下电极的方法

摘要

本发明提供一种使沟槽电容之沟槽均匀填入罩幕层及一种形成具有均匀一致之沟槽电容之下电极的方法，其中填入罩幕层的方法首先，提供一半导体基底，半导体基底具有一沟槽密集区及一沟槽稀疏区，沟槽密集区及沟槽稀疏区形成有复数沟槽，且形成于沟槽密集区之沟槽密度高于沟槽稀疏区；接着，于半导体基底上形成一罩幕层，罩幕层填满沟槽；以一倾斜角度对罩幕层进行蚀刻步骤至露出半导体基底之沟槽密集区及沟槽稀疏区，以留下沟槽内之罩幕层；及对沟槽内之罩幕层进行蚀刻步骤，使每一沟槽内之罩幕层之厚度大体相同。