半导体装置及其制造方法

摘要

利用一平均粒度较大之多晶矽层来形成一具有一高崩溃电压之高电压电晶体的闸电极，促使很容易发生闸电极空乏。藉由利用此空乏，就可以增加电晶体之闸介电膜所需的电有效膜厚度。相比之下，利用一平均粒度较小之多晶矽层来形成一具有一高速且大驱动电流所需之高效能电晶体的闸电极，促使几乎不会发生闸电极空乏。据此，电晶体之闸介电膜的电有效膜厚度可被维持在一小值。