| 摘要 |
本发明是在雷射切割装置设置：第1位置检出手段，其系检测出雷射光的入射点之晶圆表面的位置；及第2位置检出手段，其系事先检测出晶圆表面的位置；及控制部，其系控制晶圆内部之上述集此点的厚度方向位置；使雷射光从晶圆周缘部外侧来扫描至晶圆周缘部内侧时，根据第2位置检出手段所事先求得的资料来控制晶圆周缘部之集光点的位置，在所定距离扫描后，切换成根据第1位置检出手段所求得的资料之控制。藉此，在从晶圆的表面使雷射光入射后扫描时，即使在晶圆周缘部，还是能够进行雷射光之集光点的位置控制，可将多光子吸收的改质领域形成于晶圆内部的所定位置。 |
