| 摘要 |
本发明旨在：确实能利用形成于被处理层上之掩护层检测对被处理层时之加工终点。藉由以光照射矽氧化膜(105A)及多晶矽膜(104)，测量由来自这些膜之反射光所形成之干涉光。求出波长为600nm之干涉光强度与对波长范围在400nm至800nm之干涉光之强度的积分值的比。是以，由于可从所测量之干涉光波形中除去于矽氧化膜(105A)产生之干涉成份，而能够算出于多晶矽膜(104)产生之干涉光波形。最后，根据所算出之干涉光波形求出多晶矽膜(104)的残留厚度，比较该残留厚度与所期待之厚度，而检测对多晶矽膜(104)之加工终点。 |
