| 摘要 |
Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterstruktur, aufweisend: Bilden mindestens eines Dorns (14) auf einer Siliciumschicht (10c) eines Substrats, welches eine darunter liegende Isolatorschicht (10b) aufweist; Ätzen der Siliciumschicht, um mindestens eine Siliciuminsel (18') unter dem mindestens einen Dorn (14) zu bilden; Ionenimplantation (5) in Seitenwände der mindestens einen Siliciuminsel (18'), um dotierte Zonen (20) auf den Seitenwänden zu bilden; Anwachsen von epitaxialem Material (22) auf den dotierten Seitenwandzonen (20); Bilden einer Dielektrikumsschicht (26) auf dem Substrat, von welcher eine obere Fläche so planarisiert wird, dass sie mit einer oberen Fläche des mindestens einen Dorns (14) coplanar ist; Entfernen des mindestens einen Dorns (14), um eine Öffnung (28) in der Dielektrikumsschicht (26) zu bilden; und Ätzen der mindestens einen Siliciuminsel (18'), um mindestens eine diskrete Finnenstruktur (30) zu bilden, welche dotierte Source- und Drain-Zonen aufweist. |
