发明名称 氮化铝接合体及其制造方法
摘要 本发明之氮化铝接合体,系由:在不使用接着剂之情况下相互接合之两片氮化铝烧结体板、在两片氮化铝烧结体板之接合界面之一部分所形成之金属层所构成者,其特征在于:以通过该接合体中心之侧截面来观看时,该接合界面中之烧结体板彼此直接面对之直接接合区域中系存在着复数之沿着接合界面之长度L平均为0.5~4μm之空孔,且由该空孔形成非接合部,针对前述侧截面,以下述式(1):非接合率Q=(X/Y)×100...(1)(式中,X系以在直接接合区域所存在之空孔长度L之合计值所表示之非接合部在接合界面方向长度;Y为存在着空孔之直接接合区域之长度)所算出之非接合率Q平均后在0.1~0.5%之范围内。该AlN接合体可有效抑制内部金属层之翘曲,接合强度高、且耐久性优异,在半导体制造装置中,当作载放半导体晶圆进行处理之平板加热器或静电夹甚为有用。
申请公布号 TW200503984 申请公布日期 2005.02.01
申请号 TW093116803 申请日期 2004.06.11
申请人 德山股份有限公司 发明人 江崎龙夫
分类号 C04B37/00 主分类号 C04B37/00
代理机构 代理人 林镒珠
主权项
地址 日本