| 主权项 |
1.一种薄膜黏晶式(chip on film,COF)封装结构,至少包括:一基底薄膜,具有一薄膜表面;复数条金属导线,系形成于该薄膜表面上;一晶片,具有一主动表面,该主动表面上具有复数个凸块(bump),该些凸块用以与该些金属导线电性连接,使得该晶片以该主动表面面向该薄膜表面之方式配置于该基底薄膜之上;以及一第一金属电极及一第二金属电极,系以相隔且相对之方式配置于该晶片及该基底薄膜之间,该第一金属电极及该第二金属电极用以形成一电容。2.如申请专利范围第1项所述之薄膜黏晶式封装结构,其中该第一金属电极系与该些金属导线之至少一金属导线电性连接,且该第二金属电极系与该些凸块之至少一凸块电性连接。3.如申请专利范围第1项所述之薄膜黏晶式封装结构,其中该第一金属电极及该第二金属电极系分别与该些金属导线之两金属导线电性连接。4.如申请专利范围第1项所述之薄膜黏晶式封装结构,其中该第一金属电极及该第二金属电极系分别与该些凸块之两凸块电性连接。5.如申请专利范围第1项所述之薄膜黏晶式封装结构,其中该第一金属电极系一配置于该薄膜表面上之第一金属片,该第一金属片系位于该些金属导线之间,且该第二金属电极系一配置于该主动表面上之第二金属片,第二金属片系被该些凸块包围。6.如申请专利范围第1项所述之薄膜黏晶式封装结构,其中该第一金属电极及该第二金属电极系分别为一第一金属鳍片及一第二金属鳍片,该第一金属鳍片之开口系与该第二金属鳍片之开口相对。7.如申请专利范围第1项所述之薄膜黏晶式封装结构,其中该基底薄膜为一聚醯亚胺(polyimide,PI)薄膜。8.如申请专利范围第1项所述之薄膜黏晶式封装结构,其中该些金属导线为复数条铜箔线。9.如申请专利范围第1项所述之薄膜黏晶式封装结构,其中该些凸块为复数个金凸块。10.如申请专利范围第1项所述之薄膜黏晶式封装结构,其中该第一金属电极之材质为铜或金。11.如申请专利范围第1项所述之薄膜黏晶式封装结构,其中该第二金属电极之材质为铜或金。12.如申请专利范围第1项所述之薄膜黏晶式封装结构,其中该薄膜黏晶式封装结构更包括:一绝缘物质,系配置于该第一金属电极及该第二金属电极之间。13.如申请专利范围第12项所述之薄膜黏晶式封装结构,其中该绝缘物质为空气。14.如申请专利范围第12项所述之薄膜黏晶式封装结构,其中该绝缘物质为树脂(resin)。15.如申请专利范围第1项所述之薄膜黏晶式封装结构,其中该薄膜黏晶式封装结构更包括:一覆层(cover layer),系覆盖该些金属导线及该晶片以外之部分的该薄膜表面。16.一种薄膜黏晶式封装结构,至少包括:一基底薄膜,具有一薄膜表面;一第一金属片,系形成该薄膜表面上;复数条金属导线,系形成于该薄膜表面上,并位于该第一金属片之两侧外,该些金属导线之至少一金属导线用以与该第一金属片电性连接;一晶片,具有一主动表面,该主动表面之两端上具有复数个凸块,该些凸块用以与该些金属导线电性连接,使得该晶片以该主动表面面向该第一金属片之方式配置于该薄膜表面之上;以及一第二金属片,系以与该第一金属片相隔且相对之方式配置于该主动表面上,并被该些凸块包围,该第二金属片用以与该些凸块之至少一凸块电性连接,该第二金属片及该第一金属片系形成一电容。17.一种薄膜黏晶式封装结构,至少包括:一基底薄膜,具有一薄膜表面;复数条金属导线,系形成于该薄膜表面上;一第一金属鳍片,系配置于该薄膜表面上,并位于该些金属导线之间,该第一金属鳍片用以与该些金属导线之至少一金属导线电性连接;一晶片,具有一主动表面,该主动表面上具有复数个凸块,该些凸块用以与该些金属导线电性连接,使得该晶片以该主动表面面向该薄膜表面之方式配置于该基底薄膜之上;以及一第二金属鳍片,系以与该第一金属鳍片相隔之方式配置于该主动表面上,并被该些凸块包围,该第二金属鳍片用以与该些凸块之至少一凸块电性连接,其中,该第二金属鳍片之开口系与该第一金属鳍片之开口相对,且该第二金属鳍片及该第一金属鳍片系形成一电容。图式简单说明:第1A图绘示乃传统之薄膜黏晶式封装结构的俯视图。第1B图绘示乃沿着第1A图之剖面线1B-1B'所视之薄膜黏晶式封装结构的剖面图。第1C图绘示乃第1A图之薄膜黏晶式封装结构外加一电容时之状态的俯视图。第2A图绘示乃依照本发明之实施例一之薄膜黏晶式封装结构的分解俯视图。第2B图绘示乃沿着第2A图之剖面线2B-2B'所视之薄膜黏晶式封装结构的分解剖面图。第3A图绘示乃第2A图之薄膜黏晶式封装结构的组合俯视图。第3B图绘示乃第2B图之薄膜黏晶式封装结构的组合剖面图。第4A图绘示乃依照本发明之实施例二之薄膜黏晶式封装结构的分解俯视图。第4B图绘示乃依照本发明之实施例二之薄膜黏晶式封装结构的组合俯视图。第4C图绘示乃第4B图之第一金属鳍片及第二金属鳍片的部分立体图。 |
