| 主权项 |
1.一种磁控溅镀装置,系含有:进行溅镀反应所用之容器,与设置于该容器内之靶电极,与对向于该靶电极被设置于该容器内之基板电极,与被设置呈包围于该靶电极侧面之实质性环状圆筒磁铁,以及被设置于该靶电极之标靶设置面之相反侧,且由该靶电极予以磁化于垂直方向并沿该靶电极圆周方向转动之实质性半圆板状磁铁。2.如申请专利范围第1项之磁控溅镀装置,其中系将上述半圆板状磁铁与上述环状圆筒磁铁予以配置呈:上述半圆板状磁铁之连接磁极间之轴向与该半圆板状磁铁面呈垂直,当该半圆板状磁铁之该靶电极侧为N极,且不与该靶电极接触之面为S极时,上述环状圆筒磁铁内面呈S极外面呈N极;当该半圆板状磁铁之该靶电极侧为S极,且不与该靶电极接触之面为N极时,上述环状圆筒磁铁内面呈N极外面呈S。3.如申请专利范围第1或2项之磁控溅镀装置,其中上述靶电极所设置标靶系呈平板。4.如申请专利范围第1或2项之磁控溅镀装置,其中上述标靶之厚度系为15mm以上。5.如申请专利范围第1或2项之磁控溅镀装置,其中上述容器更含有反应瓦斯供应手段。6.一种空白光罩的制造方法,其特征为:使用申请专利范围第1~5项之任一项记载之磁控溅镀装置而进行成膜者。图式简单说明:图1为本发明磁控溅镀装置显示图。图2为本发明磁控溅镀装置平面图。图3为将图2本发明磁控溅镀装置之磁电路以A-A线加以裁切之剖面图。图4为习知型磁控溅镀装置显示图。图5为习知型磁控溅镀装置平面。图6为图5习知型磁控溅镀装置之磁电路以B-B线加以裁切之剖面图。 |
