发明名称 突起元件在晶圆主动面之晶背研磨方法
摘要 一种突起元件在晶圆主动面之晶背研磨方法,复数个突起元件,如被动元件,系设置于一晶圆之一主动面,接着贴合一具有复数个开口之垫高胶带于该晶圆之主动面,该些开口系对应避开该些突起元件,之后设置一研磨胶带于该垫高胶带上,以密封该些突起元件于该些开口内,最后研磨该晶圆之背面,以避免因研磨该晶圆之背面而造成该晶圆破片或损坏该些突起元件。
申请公布号 TWI231533 申请公布日期 2005.04.21
申请号 TW093118579 申请日期 2004.06.25
申请人 日月光半导体制造股份有限公司 发明人 刘昇聪
分类号 H01L21/30 主分类号 H01L21/30
代理机构 代理人
主权项 1.一种突起元件在晶圆主动面之晶背研磨方法,包含:提供一晶圆,该晶圆系具有一主动面及一背面,复数个焊垫系形成于该晶圆之主动面;形成复数个接合剂于该些焊垫;设置复数个被动元件于该主动面,以该些接合剂连接该些被动元件与该些焊垫;贴合一第一垫高胶带于该晶圆之主动面,该第一垫高胶带系具有复数个开口,以避开该些被动元件;设置一研磨胶带于该第一垫高胶带上,以密封该些被动元件于该些开口内;及研磨该晶圆之该背面。2.如申请专利范围第1项所述之突起元件在晶圆主动面之晶背研磨方法,其中该些被动元件之高度系低于该第一垫高胶带之高度。3.如申请专利范围第1项所述之突起元件在晶圆主动面之晶背研磨方法,其中该些被动元件之高度系高于该第一垫高胶带之高度。4.如申请专利范围第3项所述之突起元件在晶圆主动面之晶背研磨方法,其另包含:设置一第二垫高胶带于该第一垫高胶带上,该第二垫高胶带系具有复数个开口对应于第一垫高胶带之开口,以避开该些被动元件。5.如申请专利范围第1项所述之突起元件在晶圆主动面之晶背研磨方法,其中该研磨胶带系不接触至该些被动元件。6.如申请专利范围第1项所述之突起元件在晶圆主动面之晶背研磨方法,其中该第一垫高胶带与该研磨胶带系在同一步骤中一体设置形成。7.如申请专利范围第1项所述之突起元件在晶圆主动面之晶背研磨方法,其中该接合剂系选自于焊膏与助焊剂之其中之一,并以印刷方式形成于该晶圆之该些焊垫上。8.一种突起元件在晶圆主动面之晶背研磨方法,包含:提供一晶圆,该晶圆系具有一主动面及一背面,复数个突起元件系设置于该主动面;贴合一第一垫高胶带于该晶圆之主动面,该第一垫高胶带系具有复数个开口,以避开该些突起元件;设置一研磨胶带于该第一垫高胶带上,以密封该些突起元件于该些开口内;及研磨该晶圆之该背面。9.如申请专利范围第8项所述之突起元件在晶圆主动面之晶背研磨方法,其中该些突起元件之高度系低于该第一垫高胶带之高度。10.如申请专利范围第8项所述之突起元件在晶圆主动面之晶背研磨方法,其中该些突起元件之高度系高于该第一垫高胶带之高度。11.如申请专利范围第10项所述之突起元件在晶圆主动面之晶背研磨方法,其另包含:设置一第二垫高胶带设于该第一垫高胶带上,该第二垫高胶带系具有复数个开口对应于第一垫高胶带之开口,以避开该些突起元件。12.如申请专利范围第8项所述之突起元件在晶圆主动面之晶背研磨方法,其中该些突起元件系选自于凸块与焊球之其中之一。13.如申请专利范围第8项所述之突起元件在晶圆主动面之晶背研磨方法,其中该研磨胶带系不接触至该些突起元件。14.如申请专利范围第8项所述之突起元件在晶圆主动面之晶背研磨方法,其中该第一垫高胶带与该研磨胶带系在同一步骤中一体设置形成。图式简单说明:第1图:习知之研磨胶带贴合于一设有复数个被动元件之一晶圆之截面示意图;第2A至2H图:依据本发明之第一具体实施例,一种突起元件在晶圆主动面之晶背研磨方法,一晶圆于制造过程中之截面示意图;及第3A至3D图:依据本发明之第二具体实施例,一种突起元件在晶圆主动面之晶背研磨方法,一晶圆于制造过程中之截面示意图。
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