发明名称 浅沟渠隔离结构以及其制造方法
摘要 一种浅沟渠隔离结构以及其制造方法,此方法系先提供一基底,之后于基底上形成图案化之罩幕层,再利用此罩幕层为蚀刻罩幕,图案化此基底而形成一沟渠。接着,进行氮化处理步骤以在沟渠表面形成氮化矽衬层,再于沟渠内填入绝缘层。由于所形成之浅沟渠隔离结构具有较薄之氮化矽衬层,所以不但可以解决知残存应力的问题,而且对浅沟渠之深宽比的影响也很小。
申请公布号 TW200515528 申请公布日期 2005.05.01
申请号 TW092129225 申请日期 2003.10.22
申请人 联华电子股份有限公司 发明人 龚佑仪;林建廷;曾荣宗;游世仲
分类号 H01L21/76 主分类号 H01L21/76
代理机构 代理人 詹铭文;萧锡清
主权项
地址 新竹市新竹科学工业园区力行二路3号