发明名称 | 浅沟渠隔离结构以及其制造方法 | ||
摘要 | 一种浅沟渠隔离结构以及其制造方法,此方法系先提供一基底,之后于基底上形成图案化之罩幕层,再利用此罩幕层为蚀刻罩幕,图案化此基底而形成一沟渠。接着,进行氮化处理步骤以在沟渠表面形成氮化矽衬层,再于沟渠内填入绝缘层。由于所形成之浅沟渠隔离结构具有较薄之氮化矽衬层,所以不但可以解决知残存应力的问题,而且对浅沟渠之深宽比的影响也很小。 | ||
申请公布号 | TW200515528 | 申请公布日期 | 2005.05.01 |
申请号 | TW092129225 | 申请日期 | 2003.10.22 |
申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 龚佑仪;林建廷;曾荣宗;游世仲 |
分类号 | H01L21/76 | 主分类号 | H01L21/76 |
代理机构 | 代理人 | 詹铭文;萧锡清 | |
主权项 | |||
地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行二路3号 |