| 主权项 |
1.一种光电装置,其特征为具备:资料线,其系于基板上延伸于第1方向;扫描线,其系延伸于与上述资料线交叉的第2方向;画素电极及薄膜电晶体,其系配置成对应于上述资料线及上述扫描线的交叉领域;储存电容,其系形成于比上述资料线还要下层,且电性连接至上述薄膜电晶体及上述画素电极;电容线,其系形成于比上述资料线还要上层;第1中继电极,其系电性连接上述储存电容的画素电位侧电容电极与上述画素电极之间,且形成于与上述资料线同一层;及第2中继电极,其系电性连接上述储存电容的固定电位侧电容与上述电容线之间,且形成于与上述资料线同一层;并且,在上述资料线、上述第1中继层、上述第2中继层中含氮化膜。2.如申请专利范围第1项之光电装置,其中上述资料线、上述第1中继层、上述第2中继层系于导电层上含氮化膜。3.如申请专利范围第2项之光电装置,其中上述资料线、上述第1中继层、上述第2中继层为铝、氮化钛膜、氮化矽膜的3层构造。4.如申请专利范围第1项之光电装置,其中上述第1中继层系经由形成于与上述电容线同一层的第3中继膜来电性连接至上述画素电极。5.如申请专利范围第4项之光电装置,其中上述电容线及上述第3中继膜系于导电层上含氮化膜。6.如申请专利范围第5项之光电装置,其中上述电容线及上述第3中继膜为铝、氮化钛膜、氮化矽膜的3层构造。7.如申请专利范围第1项之光电装置,其中上述画素电位侧电容电极系经由形成于形成有上述薄膜电晶体的绝缘膜上的第4中继膜来电性连接至上述第1中继膜。8.如申请专利范围第7项之光电装置,其中上述第4中继膜系以和上述薄膜电晶体的闸极电极同-膜形成。9.如申请专利范围第1项之光电装置,其中上述扫描线系设置于上述薄膜电晶体的下层,且经由接触孔来与设置于上述薄膜电晶体的半导体装置层上的闸极电极连接。10.如申请专利范围第1项之光电装置,其中在上述储存电容的上述画素电位侧电容电极与上述固定电位侧电容电极之间,由含相异材料的复数层所构成,且其中一层为介电质膜,其系含比其他层还要高介电常数材料所构成的层。11.如申请专利范围第10项之光电装置,其中上述介电质膜系由氧化矽膜及氮化矽膜所构成。12.如申请专利范围第1项之光电装置,其中上述电容线系形成于遮光膜,同时沿着上述资料线,且形成比上述资料线还要宽。13.如申请专利范围第1项之光电装置,其中在作为上述画素电极的下层而配置的第1绝缘膜及作为上述电容线的下层而配置的第2绝缘膜中,至少在上述第1绝缘膜的表面会被施以平坦化处理。14.一种电子机器,其特征为具备光电装置,该光电装置具有:资料线,其系于基板上延伸于第1方向;扫描线,其系延伸于与上述资料线交叉的第2方向;画素电极及薄膜电晶体,其系配置成对应于上述资料线及上述扫描线的交叉领域;储存电容,其系形成于比上述资料线还要下层,且电性连接至上述薄膜电晶体及上述画素电极;电容线,其系形成于比上述资料线还要上层;第1中继电极,其系电性连接上述储存电容的画素电位侧电容电极与上述画素电极之间,且形成于与上述资料线同一层;及第2中继电极,其系电性连接上述储存电容的固定电位侧电容与上述电容线之间,且形成于与上述资料线同一层;并且,在上述资料线、上述第1中继层、上述第2中继层中含氮化膜。15.一种光电装置的制造方法,其特征为包含:在基板上形成薄膜电晶体之过程;在上述薄膜电晶体的闸极电极上形成第1层间绝缘膜之过程;在上述第1层间绝缘膜的上侧,由下往上依次形成画素电位侧电容电极、介电质膜及固定电位侧电容电极,形成储存电容之过程;在上述储存电容的上侧形成第2层间绝缘膜之过程;在上述第2层间绝缘膜的上侧,以含氮化膜的导电材料来形成:电性连接至上述薄膜电晶体的半导体层的资料线、电性连接至上述画素电位侧电容电极的第1中继膜、及电性连接至上述固定电位侧电容电极的第2中继膜之过程;在上述资料线、上述第1中继膜、上述第2中继膜的上侧形成第3层间绝缘膜之过程;在上述第3层间绝缘膜的上侧形成:电性连接至上述第1中继膜的第3中继膜,及电性连接至上述第2中继膜的电容线之过程;在上述第3中继膜、上述电容线的上侧形成第4层间绝缘膜之过程;及在上述第4层间绝缘膜的上侧形成电性连接至上述第3中继膜的画素电极之过程。16.如申请专利范围第15项之光电装置的制造方法,其中形成上述储存电容的过程系由:形成上述画素电位侧电容电极的第1前驱膜之过程;在上述第1前驱膜的上侧形成上述介电质膜的第2前驱膜之过程;在上述第2前驱膜的上侧形成上述固定电位侧电容电极的第3前驱膜之过程;及一起对上述第1前驱膜、上述第2前驱膜及上述第3前驱膜形成图案,而来形成上述画素电位侧电容电极、上述介电质膜及上述固定电位侧电容电极之过程;所构成者。17.如申请专利范围第15项之光电装置的制造方法,其中形成上述储存电容的过程系由:形成上述画素电位侧电容电极的第1前驱膜之过程;对上述第1前驱膜形成图案,而来形成上述画素电位侧电容电极之过程;在上述第1前驱膜的上侧形成上述介电质膜的第2前驱膜之过程;在上述第2前驱膜的上侧形成上述固定电位侧电容电极的第3前驱膜之过程;及对上述第3前驱膜形成图案,而来形成上述介电质膜及上述固定电位侧电容电极之过程;所构成者;上述固定电位侧电容电极及上述介电质膜系形成其面积比上述画素电位侧电容电极及上述介电质膜的面积还要大。图式简单说明:图1是表示设置于构成本发明之实施形态的光电装置的画像显示领域的矩阵状的复数个画素的各种元件、配线等的等效电路图。图2是表示形成有本发明之实施形态的光电装置的资料线、扫描线、画素电极等的TFT阵列基板之相接的复数个画素群平面图。图3是表示图2中仅抽出要部的平面图。图4是表示图2的A-A'剖面图。图5是表示用以和图4进行对比的构造之部份剖面图。图6是表示依次显示本发明之实施形态的光电装置的制造方法的过程剖面图(其1)。图7是表示依次显示本发明之实施形态的光电装置的制造方法的过程剖面图(其2)。图8是表示由对向基板侧来看本发明之实施形态的光电装置的TFT阵列基板及形成于上面的各构成要件。图9是表示图8之H-H'剖面图。图10是表示本发明之电子机器的实施形态之投射型彩色显示装置的一例之彩色液晶投影机的剖面图。 |
